در این مقاله، تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن استفاده می شوند. در این مقاله، با تغییر ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می یابد. برای شبیه سازی، از نرم افزار SILVACO ATLAS برای انجام شبیه سازی سلول خورشیدی CIGS تحت طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است.


silvaco simulation

شبیه سازی مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

سلول ,خورشیدی ,شبیه ,cigs ,silvaco ,جاذب ,سلول خورشیدی ,شکاف باند ,خورشیدی cigs ,باند لایه ,شبیه سازی

مشخصات

آخرین ارسال ها

آخرین جستجو ها

این یک وبلاگ موقتی هیئت مجازی کتاب rivermont خانه ای برای لونا آب، نان، آواز ➷┊✧ چشم استاد ... فاصله ها دیجی کتاب نسیم کلیپ بانک لینک های دانلود فیلم ، دانلود سریال و دانلود آهنگ میباشد.