در این مقاله، تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، حداکثر توان، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن استفاده می شوند. در این مقاله، با تغییر ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می یابد. برای شبیه سازی، از نرم افزار SILVACO ATLAS برای انجام شبیه سازی سلول خورشیدی CIGS تحت طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است.
شبیه سازی مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
سلول ,خورشیدی ,شبیه ,cigs ,silvaco ,جاذب ,سلول خورشیدی ,شکاف باند ,خورشیدی cigs ,باند لایه ,شبیه سازی
درباره این سایت